APX300是一款專為高附加值硅基芯片和小型芯片開發(fā)的等離子切割設(shè)備，與傳統(tǒng)機(jī)械切割設(shè)備相比，具有切割效率高、wafer無損傷、wafer利用率高等特點(diǎn)。
應(yīng)用領(lǐng)域：高性能傳感器/儲存器、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域具有微小、輕薄、易碎、需要清潔等特點(diǎn)的wafer切割，例如：low-k wafer（易碎）、3D/TSV芯片（輕?。D像傳感器（清潔度要求高）、MEMS（易碎）、RFID芯片（微?。?br> 等離子切割設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域 產(chǎn)品優(yōu)勢： 1.無損傷，切口整齊平整，無雜質(zhì)碎屑，在電鏡下觀測形貌無損傷。
等離子切割與傳統(tǒng)機(jī)械切割在硅片斷裂形式上的不同 等離子切割與傳統(tǒng)機(jī)械切割在切面形貌上更平整，且結(jié)構(gòu)上無應(yīng)力損傷 等離子切割后，芯片的抗彎強(qiáng)度提高并且數(shù)據(jù)分布更窄 2.wafer利用率高、在小芯片切割上具有成本優(yōu)勢 切割道最小可達(dá)20μm，最多可提高30%的wafer利用率 整片一次性切割，芯片尺寸越小，單片效率越高 3.采用無水工藝、可切割異形芯片 工藝介紹： 工藝一：光刻+等離子切割（多用于＜3mm晶片切割） 在表面涂覆光刻膠后進(jìn)行曝光顯影，形成分割好的mask層，然后進(jìn)行等離子切割切斷Si層。
工藝二：激光+等離子切割（多用于＞3mm晶片切割） 先在表面貼一層*雙層mask膠帶（上層為保護(hù)層、下層為mask層），之后翻面進(jìn)行背面減薄，翻面并揭掉上面保護(hù)層，然后用激光切割mask層和金屬層/低介電層，之后再進(jìn)行等離子切割切斷Si層。
整個(gè)工藝配套：膠帶、背減薄設(shè)備、光刻系統(tǒng)、激光器、層壓、等離子切割、測試設(shè)備 設(shè)備基本參數(shù)： 標(biāo)簽： 松下Pa... 松下 等離子 切割 松下等離... ? 松下Panasonic 松下 等離子 切割 松下等離子切割 設(shè)備 ? 北京市等離子切割設(shè)備 ? 北京市等離子切割設(shè)備廠家

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