反向漏電流IR在限定條件下反向漏電流為二極管的基本特性,按LED以前的常規(guī)規(guī)定,指反向電壓在5V時的反向漏電流。
隨著發(fā)光二極管性能的提高,反向漏電流會越來越小。
IR越小越好,產(chǎn)生原因為電子的不規(guī)則移動。
(1)芯片本身品質(zhì)問題原因,顯示屏制作商,可能晶片本身切割異常所導(dǎo)致。
(2)銀膠點的太多,嚴重時會導(dǎo)致短路。
外延造成的反向漏電主要由PN結(jié)內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷所致,芯片制作過程中側(cè)面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面,嚴禁用有機溶液調(diào)配銀膠。
以防止銀膠通過毛細現(xiàn)象爬到結(jié)區(qū)。
(3)靜電l擊傷。
外延材料,芯片制作,專業(yè)生產(chǎn)LED屏廠家,器件封裝,測試一般5V下反向漏電流為10UA,也可以固定反向電流下測試反向電壓。
不同類型的LED反向特性相差大:普綠,普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏,而普紅芯片則在十幾二十伏之間。
(4)焊線壓力控制不當,造成晶片內(nèi)崩導(dǎo)致IR升高。
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