產(chǎn)品參數(shù) 加工定制：是 種類：- 規(guī)格尺寸：- -：- 產(chǎn)品特點(diǎn) HIT電池結(jié)構(gòu)，中間襯底為N型晶體硅，通過PECVD方法在P型a-Si和c-Si之間插入一層10nm厚的i-a-Si本征非晶硅，在形成pn結(jié)的同時(shí)。
背面為20nm厚的本征a-Si：H和N型a-Si：H層，在鈍化表面的同時(shí)可以形成背表面場(chǎng)。
由于非晶硅的導(dǎo)電性較差，射技術(shù)濺射TCO膜進(jìn)行橫向?qū)щ?，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)形成雙面電極，使得HIT電池有著對(duì)稱雙面電池結(jié)構(gòu)。
HIT電池是以晶硅太陽能電池為襯底，以非晶硅薄膜為鈍化層的電池結(jié)構(gòu)。
種在P型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型硅襯底之間增加一層非摻雜(本征)氫化非晶硅薄膜的電池結(jié)構(gòu)。
結(jié)電池，即PN結(jié)是在同一種半導(dǎo)體材料上形成的，而異質(zhì)結(jié)電池的PN結(jié)采用不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
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