離子鍍：蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。
這種技術(shù)是D.麥托克斯于1963年提出的。
離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合。
一種離子鍍系統(tǒng)如圖4[離子鍍系統(tǒng)示意圖]，陀螺指環(huán)扣支架價格，將基片臺作為陰極，陀螺指環(huán)扣支架廠商，外殼作陽極，充入惰性氣體以產(chǎn)生輝光放電。
從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過等離子區(qū)時發(fā)生電離。
正離子被基片臺負(fù)電壓加速打到基片表面。
未電離的中性原子（約占蒸發(fā)料的95％）也沉積在基片或真空室壁表面。
電場對離化的蒸氣分子的加速作用（離子能量約幾百～幾千電子伏）和亞離子對基片的濺射清洗作用，使膜層附著強(qiáng)度大大提高。
離子鍍工藝綜合了蒸發(fā)（高沉積速率）與濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，陀螺指環(huán)扣支架，并有很好的繞射性，可為形狀復(fù)雜的工件鍍膜。
—種磁能指環(huán)支架，包括磁鐵底座與鐵制指環(huán)，磁鐵底座與鐵制指環(huán)均采用圓形結(jié)構(gòu)設(shè)置，陀螺指環(huán)扣支架批發(fā)，磁鐵底座與鐵制指環(huán)之間通過磁能吸附方式對應(yīng)設(shè)置。
進(jìn)一步而言，所述磁鐵底座上表面設(shè)有圓形凹槽形導(dǎo)軌，鐵制指環(huán)的外圓部分對應(yīng)設(shè)置于圓形凹槽形導(dǎo)軌上，磁鐵底座下表面設(shè)有粘貼裝置。
進(jìn)一步而言，所述磁鐵底座外層設(shè)有配套的外觀鋁件，外觀鋁件的外圓直徑與鐵制指環(huán)的內(nèi)圓直徑相等。
使用正確的刀尖半徑：更大的刀尖半徑將能夠適應(yīng)更快的速度。
插入件能夠以每轉(zhuǎn)約TNR的一半進(jìn)給，并且仍然產(chǎn)生良好的結(jié)果。
如果超過此TNR與IPR比率，該工具將創(chuàng)造更多“線狀”表面光潔度，而不是您想要的光澤光滑表面。
因此，TNR越大，它可以容納的進(jìn)給速度越快，并且仍然產(chǎn)生期望的結(jié)果。
然而，使用非常大的TNR可以產(chǎn)生顫振- 減少切割壓力- 所以要小心并考慮切割材料所需的速度- 使用符合您需求的TNR工具。
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