對于大面積鍍膜,常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。
從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。
蒸氣分子平均動能約為0.1~0.2電子伏。
蒸發(fā)源有三種類型。
①電阻加熱源:用難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質(zhì)電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。
②高頻感應(yīng)加熱源:用高頻感應(yīng)電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質(zhì)。
③電子束加熱源:適用于蒸發(fā)溫度較高的材料,指環(huán)扣車載支架供應(yīng)商,即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。
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作為本實用新型手機指環(huán)扣的技術(shù)方案的一種改進,所述第二凸邊為階梯型凸邊,實現(xiàn)上蓋與指環(huán)可拆卸連接。
作為本實用新型手機指環(huán)扣的技術(shù)方案的一種改進,所述旋轉(zhuǎn)蓋與所述指環(huán)在所述旋轉(zhuǎn)蓋的邊緣鉸接。
放電產(chǎn)生的正離子在電場作用下飛向陰極,鳳崗指環(huán)扣車載支架,與靶表面原子碰撞,指環(huán)扣車載支架多少錢,受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏范圍。
濺射原子在基片表面沉積成膜。
與蒸發(fā)鍍膜不同,濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質(zhì)。
濺射化合物膜可用反應(yīng)濺射法,即將反應(yīng)氣體(O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應(yīng)氣體及其離子與靶原子或濺射原子發(fā)生反應(yīng)生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉積在基片上。
沉積絕緣膜可采用高頻濺射法。
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