本實(shí)用新型涉及數(shù)碼產(chǎn)品指環(huán)支架技術(shù)領(lǐng)域,特指一種磁能指環(huán)支架,包括磁鐵底座與鐵制指環(huán),磁鐵底座與鐵制指環(huán)均采用圓形結(jié)構(gòu)設(shè)置,磁鐵底座與鐵制指環(huán)之間通過(guò)磁能吸附方式對(duì)應(yīng)設(shè)置。
本實(shí)用新型采用這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)置,磁鐵底座與鐵制指環(huán)之間通過(guò)磁能吸附方式可實(shí)現(xiàn)數(shù)碼產(chǎn)品360度無(wú)死角使用,同時(shí)采用吸附原理,輪轂陀螺指環(huán)扣訂制,便于磁鐵底座與鐵制指環(huán)的分離和隱藏,不使用的情況下也不影響美觀。
蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比,具有較高的沉積速率,可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。
為沉積高純單晶膜層,可采用分子束外延方法。
生長(zhǎng)摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。
噴射爐中裝有分子束源,輪轂陀螺指環(huán)扣廠(chǎng)商,在超高真空下當(dāng)它被加熱到一定溫度時(shí),輪轂陀螺指環(huán)扣哪家好,爐中元素以束狀分子流射向基片。
基片被加熱到一定溫度,沉積在基片上的分子可以徙動(dòng),按基片晶格次序生長(zhǎng)結(jié)晶用分子束外延法可獲得所需化學(xué)計(jì)量比的高純化合物單晶膜,薄膜較慢生長(zhǎng)速度可控制在1單層/秒。
通過(guò)控制擋板,輪轂陀螺指環(huán)扣,可精準(zhǔn)地做出所需成分和結(jié)構(gòu)的單晶薄膜。
如今在許多電鍍加工廠(chǎng)中相對(duì)于傳統(tǒng)的電鍍工藝,真空電鍍加工技術(shù)具有三大長(zhǎng)處:一:堆積資料廣泛:可堆積鋁、鈦、鋯等濕法電鍍無(wú)法堆積的低電位金屬,通以反響氣體和合金靶材更是能夠堆積從合金到陶瓷甚至是金剛石的涂層,并且能夠根據(jù)需要規(guī)劃涂層系統(tǒng)。
二:節(jié)省金屬資料:因?yàn)檎婵胀繉拥母街?、致密度、硬度、耐腐蝕功能等適當(dāng)優(yōu)良,堆積的真空電鍍鍍層能夠遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于慣例濕法電鍍鍍層,到達(dá)節(jié)省的意圖。
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