離子束 Pt >10 nm/ min (使用Ar濺射刻蝕的反應離子束刻蝕) Pt >50 nm/ min (使用Ar濺射刻蝕的電感耦合等離子體刻蝕) 光學掩模的選擇性1:1（RIE） RIE的均勻性(12片晶圓批處理) < +/- 7 % RIE或ICP 的均勻性 (單個晶圓4英寸或 6英寸) < +/- 4 /5 % 對某些（要求較低的）應用，離子束系統(tǒng)中的平行板式反應器("RIE”)是一個很好的選擇，可以得到更好的吞吐量成本比。
? 120 nm的鉑金刻蝕(以及400 nm的鋯鈦酸鉛PZT反應離子束刻蝕), 光學掩模完好 提高反應溫度可以增加刻蝕速率： Ar/Cl2 ICP刻蝕 ? ? ??????二氧化硅掩模下鉑金的刻蝕速率和選擇性? ? ?? 標簽： ? ? 北京市濺射刻蝕濺射刻蝕鉑 ? 北京市濺射刻蝕濺射刻蝕鉑廠家

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