離子束沉積VaO( 5 - x )--沉積氧化釩 De*ition 采用釩金屬靶材和氧氣輔助的離子束沉積 沉積速率：6-50 nm/min 沉積速率將取決于沉積薄膜的電學(xué)性能要求。
為獲得*的質(zhì)量，通常使用較低的速率。
? 沉積均勻性：直徑8英寸范圍內(nèi)公差小于± 2 %? 電阻率：0.03-2000 歐姆?厘米? 電阻均勻性：公差± 3 %? 零孔隙度二氧化硅覆蓋層? 沉積速率：大于20納米/分鐘? 沉積均勻性：直徑8英寸范圍內(nèi)公差小于± 2 %? 折射率：632.8nm處為1.4868，1550納米處為1.4738? 薄膜應(yīng)力： 小于300兆帕的壓應(yīng)力 標(biāo)簽： ? ? 北京市vao5-x ? 北京市vao5-x廠家
北京市 北京市北京市vao5-x廠家
供應(yīng)離子束沉積VaO(5-x)沉積氧化釩
