真空鍍膜靶材 北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供*的靶材和蒸發(fā)料。
公司主營金屬靶材、金屬材料、光學鍍膜材料等。
靶中毒的影響因素 影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例,反應氣體過量就會導致靶中毒。
反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。
如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。
在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應氣體量增加,化合物生成率增加。
如果反應氣體量增加過度,化合物覆蓋面積增加,如果不能及時調(diào)整反應氣體流量, 鍺靶供應商,化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制,濺射溝道將進一步被化合物覆蓋, 鍺靶多少錢,當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候,靶完全中毒,在靶面上沉積一層化合金屬膜。
使其很難被再次反應。
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????? 微電子硅片引線中,銅與鋁相比較,銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率 ,能夠滿足半導體工藝在 0.25 μm以下的亞微米布線的需要 , 鍺靶,但卻帶來了其他的問題 。
銅與有機介質材料的附著強度低 并且容易發(fā)生反應 ,導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題, 需要在銅與介質層之間設置阻擋層。
阻擋層材料一般采用高熔點 、高電阻率的金屬及其化合物 。
因此要求阻擋層厚度小于 50 nm 且與銅及介質材料的附著性能良好。
銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的 ,需要研制新的靶材材料。
銅互連的阻擋層用靶材包括 Ta、 W、 TaSi 、WSi 等。
但是 Ta、W 都是難熔金屬,制備相對困難 現(xiàn)在正在研究鉬、鉻等的合金作為替代材料 。
石久高研專注15年提供高純金屬靶材 ?*、高純靶材歡迎來電咨詢~~~ 金屬靶材 北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供*的靶材和蒸發(fā)料。
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濺射靶材使用指南及注意事項 靶材清潔 靶材清潔的目的是去除靶材表面可能存在的灰塵或污垢。
金屬靶材可以通過四步清潔, 第1步用在酒精中浸泡過的無絨軟布清潔; 第2步與第1步類似用酒精清潔; 第3步用去離子水清洗。
在用去離子水清洗過后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。
??氧化物及陶瓷靶材的清洗建潔用“無絨布”進行清潔。
第4步在*完有污垢的區(qū)域后,再用高壓低水氣的氬氣沖洗靶材, 以除去所有可能在濺射系統(tǒng)中會造成起弧的雜質微粒. 靶材安裝 ? 靶材安裝過程中最重要的注意事項是一定要確保在靶材和濺射*冷卻壁之間建立很好的導熱連接。
如果用冷卻壁的翹曲程度嚴重或背板翹曲嚴重會造成靶材安裝時發(fā)生開裂或彎曲,背靶到靶材的導熱性能就會受到很大的影響,導致在濺射過程中熱量無法散發(fā)最終會造成靶材開裂或脫靶 為確保足夠的導熱性,可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。
請注意一定要仔細檢查和明確所使用濺射*冷卻壁的平整度,同時確保O型密封圈始終在位置上。
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