function loadjscssfile(filename, filetype){ if (filetype=="js"){ //if filename is a external JavaScript file var fileref=document.createElement(script) fileref.setAttribute("type","text/javascript") fileref.setAttribute("src", filename) } else if (filetype=="css"){ //if filename is an external CSS file var fileref=document.createElement("link") fileref.setAttribute("rel", "stylesheet") fileref.setAttribute("type", "text/css") fileref.setAttribute("href", filename) } if (typeof fileref!="undefined") document.getElementsByTagName("head")[0].appendChild(fileref) } #sub_contents_main { width: *; float:none; } GST刻蝕——鍺銻碲化物ICP刻蝕 電感耦合等離子體源 ICP 65 可以處理*2"的晶片 ICP 180可以處理*100mm的晶片 ICP 380可以處理*200mm的晶片 各個(gè)系統(tǒng)都適用于處理小尺寸的晶片 基于RIE的ICP刻蝕以及晶片電極可以對(duì)溫度進(jìn)行調(diào)節(jié) 使用*工藝 GST（Ge2Sb2Te5）是一種相移記憶材料 ? 結(jié)果： 刻蝕速率：150nm/min 光刻膠掩?？涛g選擇比：>2:1 對(duì)SiO2刻蝕選擇比：>3:1 均勻性：<±5%（200mm晶片） 側(cè)面：各向異性 ? ? ???? GST深度為0.2μm側(cè)壁為74° ???? 使用了大角度的光學(xué)掩模（PR） ?（污染物是在切割分析用樣品時(shí)引入的） ? ? ? 標(biāo)簽： ? ? 北京市icp ? 北京市icp廠家

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供應(yīng)GST刻蝕鍺銻碲化物ICP刻蝕