高低溫真空腔探針系統(tǒng)主要用于為被測芯片提供一個低溫或者高溫的變溫測量環(huán)境，以便測量分析溫度變化時芯片性能參數(shù)的變化。
腔體內(nèi)被測芯片在真空環(huán)境中有效避免易受氧化半導(dǎo)體器件接觸空氣所帶來的測試結(jié)果誤差。

極低溫測試:

因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時，空氣中的水汽會凝結(jié)在晶圓

上，會導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測試失敗。
避免這些

需要把真空腔內(nèi)的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵

的運轉(zhuǎn)。

高溫?zé)o氧化測試：

當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時，氧化現(xiàn)象會

越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。
過度氧化會導(dǎo)致晶圓電性誤

差，物理和機械形變。
避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測試前用泵

抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉(zhuǎn)。
晶圓測試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因為熱脹冷縮現(xiàn)象，定位好的探針與器件電極間會有相對位移，這時需要針座的重新定位，探針座位于腔體外部，可以在不破壞真空度的同時調(diào)整探針達(dá)到理想位置進(jìn)行測量。
我們也可以選擇使用操作桿控制的自動化針座來調(diào)整探針的位置。