高低溫真空腔探針系統(tǒng)主要用于為被測(cè)芯片提供一個(gè)低溫或者高溫的變溫測(cè)量環(huán)境，以便測(cè)量分析溫度變化時(shí)芯片性能參數(shù)的變化。
腔體內(nèi)被測(cè)芯片在真空環(huán)境中有效避免易受氧化半導(dǎo)體器件接觸空氣所帶來的測(cè)試結(jié)果誤差；因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測(cè)試失敗。
避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)；當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí)，氧化現(xiàn)象會(huì)越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。
過度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。
避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
晶圓測(cè)試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象，定位好的探針與器件電極間會(huì)有相對(duì)位移，這時(shí)需要針座的重新定位，探針座位于腔體外部，可以在不破壞真空度的同時(shí)調(diào)整探針達(dá)到理想位置進(jìn)行測(cè)量。
我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來調(diào)整探針的位置；創(chuàng)譜儀器可以根據(jù)客戶應(yīng)用搭建探針臺(tái)，以達(dá)到更好得使用效果和性價(jià)比！