產(chǎn)品簡介 型號 品牌 封裝 生產(chǎn)批號 包裝 PDF技術資料 W971GG6JB-25I WINBOND 84-TFBGA? 15+ 2500 ? 概述 該W971GG6JB是1G位DDR2 SDRAM ，組織為8,388,608字8銀行16位。
這設備實現(xiàn)了高達1066MB /秒/針（ DDR2-1066 ），為各種應用的高速傳輸速率。
W971GG6JB被分成以下等級部分： -18 ， -25 ， 25L， 25I ， 25A， 25K和-3 。
-18級部分符合的DDR2-1066 （ 6-6-6）規(guī)范。
-25 /25L/ 25I /25A/ 25K級器件兼容的DDR2-800 （ 5-5-5 ）規(guī)范（在25L級部分是保證支持IDD2P= 7 mA和我DD6= 4 mA的商用溫度， 25I工業(yè)級部件保證支持-40 ° C≤牛逼例≤ 95 ° C） 。
-3級器件是兼容的DDR2-667 （ 5-5-5 ）特定連接的陽離子。
汽車級器件溫度，如果提供了，有兩個同時要求：環(huán)境溫度（TA）周邊設備不能低于-40 ° C或高于+ 95 ° C（用于25A ） ，+ 105 ℃（對25K ） ，與殼體溫度（T例）不能高于+ 95℃，低于-40 ℃或更高（為25A ） ， + 105°C （對于25K ） 。
JEDEC規(guī)范要求的刷新率當T翻番例超過+ 85°C ;這也需要使用高溫自刷新選項。
此外， ODT電阻和輸入/輸出阻抗必須降低當T例為< 0 ° C或> + 85°C 。
所有的控制和地址輸入端有一對外部提供的差分的同步時鐘。
輸入在差分時鐘的交叉點鎖存（ CLK上升沿和CLK下降） 。
所有的I / O都與一個單端DQS的或微分同步DQS-的DQ對在源同步方式。
特點 電源： VDD, VDDQ= 1.8 V±0.1 V 雙倍數(shù)據(jù)速率的架構：每個時鐘周期兩個數(shù)據(jù)傳輸 CAS延時：3， 4 ，5，6和7 突發(fā)長度： 4和8 雙向，差分數(shù)據(jù)選通（ DQS和的DQ）被發(fā)送/與數(shù)據(jù)接收 邊沿對齊與讀取數(shù)據(jù)中心對齊與寫入數(shù)據(jù) DLL對齊DQ和DQS轉(zhuǎn)換時鐘 差分時鐘輸入（ CLK和CLK) 數(shù)據(jù)掩碼（ DM ），用于寫入數(shù)據(jù) 命令輸入的每個正CLK的邊緣，數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)*參照的兩個邊緣DQS的 發(fā)布CAS可編程的附加延遲的支持，使指令和數(shù)據(jù)總線效率 讀取延遲=附加延遲加CAS延遲（ RL = AL + CL ） 片外驅(qū)動器阻抗調(diào)整（ OCD）和片上端接（ ODT）為更好的信號質(zhì)量 自動預充電操作進行讀取和寫入突發(fā) 自動刷新和自刷新模式 預充電，關機和主動 關機寫數(shù)據(jù)面膜寫延時=讀延時 - 1 （ WL = RL - 1 ） 接口： SSTL_182 包裝WBGA 84球（ 8X12.5毫米） ，采用無鉛材料，符合RoHS標準 標簽： ? ? 深圳市中文資料管腳圖 ? 深圳市中文資料管腳圖廠家

深圳市中文資料管腳圖廠家
供應mCube品牌MC3410數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器芯揚國際（ ）有限公司