簡要介紹 ?氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近,強(qiáng)度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
詳細(xì)參數(shù) 氮化鋁陶瓷基片(AlN) AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的熱導(dǎo)率（理論值為319W/m.K，商品化的AlN基片熱導(dǎo)率大于140W/m.k）、較低的介電常數(shù)（8.8）和介電損耗（～4×104）、以及和硅相配比的熱膨脹系數(shù)（4.4×10－4/℃）等優(yōu)點(diǎn)，化學(xué)組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。
氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近,強(qiáng)度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
主要應(yīng)用于：高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導(dǎo)體致冷等產(chǎn)品中做高性能基片材料和封裝材料，廣泛應(yīng)用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業(yè)。
產(chǎn)品特點(diǎn) 高導(dǎo)熱性 熱膨脹系數(shù)跟Si接近 優(yōu)良的絕緣性能 較低介電常數(shù)和介質(zhì)損耗 AlN(氮化鋁)陶瓷基片主要性能指標(biāo) 性能內(nèi)容 性能指標(biāo) 體積密度?(g/cm3) 3.335 抗熱震性 無裂紋、炸裂 熱導(dǎo)率 (30℃, W/m.k) ≥170 膨脹系數(shù) (/℃, 5℃/min, 20-300℃) 2.805×10-6 抗折強(qiáng)度?(MPa) 382.7 體積電阻率(Ω.cm) 1.4×1014 介電常數(shù)(1MHz) 8.56 化學(xué)穩(wěn)定性 (mg/cm2) 0.97 擊穿強(qiáng)度?(KV/mm) 18.45 表面粗糙度(μm) 0.3~0.5 翹曲度(length‰) ≤2‰ 外觀/顏色 致密、細(xì)晶/ 暗灰色 加工設(shè)備： 標(biāo)簽： 氮化鋁打 氮化鋁基 ? 氮化鋁打孔 氮化鋁基片 ? 深圳市陶瓷氮化鋁 ? 深圳市陶瓷氮化鋁廠家

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