四氟化碳貯存注意事項(xiàng)：氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。
氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡，應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。
四氟化碳對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。
四氟化碳是當(dāng)前微電子工業(yè)中應(yīng)用量高的等離子體蝕刻氣體，被廣泛應(yīng)用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。
除此之外，四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領(lǐng)域有著應(yīng)用。
反應(yīng)放熱后，氟開始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼?，使反?yīng)繼續(xù)進(jìn)行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。
四氟化碳有時(shí)會(huì)用作低溫冷卻劑。
它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。
它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。
對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，四氟化碳?xì)怏w價(jià)格，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。
四氟化碳（CF4）早就是通過氟碳直接反應(yīng)法制得的，該方法經(jīng)過不斷的發(fā)展與完善， 如今已成為工業(yè)上制備全的主要的方法之一。
高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產(chǎn)品，是一種無色無味氣體。
高純四氟化碳不可燃燒，在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，在密閉容器中遇高熱有危險(xiǎn)，不溶于水，可溶于苯、等部分溶劑。
以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。
在裝有活性炭的反應(yīng)爐中，緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼?，并通過加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。
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