產(chǎn)品參數(shù) 品牌：其他 型號(hào)：長(zhǎng)禾 加工定制：是 類型：防雷元件測(cè)試儀 測(cè)量范圍：半導(dǎo)體器件電參數(shù) 測(cè)量頻率：50HZ 重量：357KG 尺寸：800x800x1800 ?誠(chéng)信立世，感恩回饋，歡迎選擇長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室做您忠誠(chéng)的合作伙伴，共謀發(fā)展大計(jì)！ 檢測(cè)項(xiàng)目 覆蓋產(chǎn)品 檢測(cè)能力 參考標(biāo)準(zhǔn) 功率循環(huán)試驗(yàn)（PC） IGBT模塊 ΔTj=100℃ 電壓電流*1800A 12V IEC 客戶自定義 高溫反偏試驗(yàn)（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 溫度*150℃； 電壓*2000V 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 高溫門極試驗(yàn)（HTGB） MOSFET、SiC MOS等單管器件 溫度*150℃； 電壓*2000V 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 高溫工作壽命試驗(yàn)（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 溫度*150℃ 電壓*2000V 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 低溫工作壽命試驗(yàn)（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 溫度*-80℃ 電壓*2000V 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)（HTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 溫度*150℃； 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)（LTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 溫度*-80℃ 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 高溫高濕試驗(yàn)（THB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 溫度*180℃ 濕度范圍：10%~98% 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 高低溫循環(huán)試驗(yàn)（TC） MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 溫度范圍：-80℃~220℃ 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 間歇壽命試驗(yàn)（IOL）功率循環(huán)試驗(yàn)（PC） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ΔTj≧100℃ 電壓電流*48V，10A 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)（SSOL） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 ΔTj≧100℃ 電壓電流*48V，10A 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 高加速應(yīng)力試驗(yàn)（HAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 溫度130℃/110℃ 濕度85% 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 *無(wú)偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)（UHAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 溫度130℃ 濕度85% 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 高溫蒸煮試驗(yàn)（PCT） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 溫度121℃ 濕度* 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 預(yù)處理試驗(yàn)（Pre-con） 所有SMD類型器件 設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)（MSL） 所有SMD類型器件 設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 *可焊性試驗(yàn)（Solderability） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 有鉛、無(wú)鉛均可進(jìn)行 美軍標(biāo)，*，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等 產(chǎn)品實(shí)拍 西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 半導(dǎo)體分立器 技術(shù)推廣 技術(shù)轉(zhuǎn)讓 測(cè)試檢測(cè) 公司簡(jiǎn)介 西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，是國(guó)家CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于專業(yè)大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。
長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室擁有尖端的系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。
實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有*的測(cè)試儀器設(shè)備100余臺(tái)套，專業(yè)測(cè)試人員20余名。
我們緊跟國(guó)際國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測(cè)技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供*高效的技術(shù)服務(wù)。
長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)、可靠性檢測(cè)、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測(cè)試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。
業(yè)務(wù)范圍主要涉及國(guó)內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、*院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。
也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。
長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室多年來(lái)一直秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營(yíng)理念，為客戶提供*的服務(wù) 手機(jī)網(wǎng)站 西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 聯(lián)系人：蒲誠(chéng) 手機(jī)：17792031711 ?? 網(wǎng)站： 標(biāo)簽： IGBT ? IGBT測(cè)試 ? 西安市測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 ? 西安市測(cè)試實(shí)驗(yàn)室廠家
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