CMOS傳感器你知道多少 CMOS傳感器采用普通半導(dǎo)體電路常用的CMOS工藝，識(shí)別顏色的傳感器，具有集成度高、功耗小、速度快、本錢低等特性，近幾年在寬動(dòng)態(tài)、低照度方面展開疾速。
CMOS即互補(bǔ)性金屬氧化物半導(dǎo)體，主要是應(yīng)用硅和鍺兩種元素所做成的半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)CMOS上帶負(fù)電和帶正電的晶體管來(lái)完成基本的功用。
這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處置芯片記載和解讀成影像。
復(fù)合式磁傳感器 弱磁探測(cè)技術(shù)的發(fā)展，歸根結(jié)底依靠的是磁傳感器技術(shù)的進(jìn)步。
近年來(lái)，隨著各種物理效應(yīng)在磁場(chǎng)測(cè)量中的應(yīng)用，各種弱磁測(cè)量的方法已經(jīng)逐漸趨于完善，而根據(jù)不同測(cè)量方法，各類磁傳感器也應(yīng)運(yùn)而生。
從霍爾效應(yīng)磁傳感器、磁通門磁傳感器、磁電阻傳感器到光泵磁強(qiáng)計(jì)和超導(dǎo)*干涉器件(SQUID)，磁傳感器技術(shù)不斷的向前發(fā)展。
這其中，為熟知的探測(cè)精度達(dá)到fT量級(jí)的弱磁傳感器當(dāng)屬基于超導(dǎo)約瑟夫森效應(yīng)的超導(dǎo)*干涉器件。
目前，單獨(dú)的SQUID 器件在低溫下靈敏度可以達(dá)到0.2—2 pT，而通過(guò)加入耦合線圈磁通放大器，在4.2 K靈敏度可以達(dá)到10 fT 以下。
然而，對(duì)于低溫超導(dǎo)SQUID 而言，需要昂貴的低溫制冷設(shè)備(液氦、低溫制冷機(jī)等)；高溫超導(dǎo)SQUID由于超導(dǎo)材料的相干長(zhǎng)度短，在約瑟夫森結(jié)的制備方面存在困難。
這些因素都制約了SQUID的大規(guī)模應(yīng)用。
伴隨著科技進(jìn)步和信息技術(shù)的發(fā)展，除了靈敏度之外，人們也對(duì)磁傳感器的尺寸、穩(wěn)定性、功耗、制備工藝的簡(jiǎn)單化等提出了越來(lái)越高的要求。
其中基于磁電阻效應(yīng)的傳感器因其具備高靈敏度、功耗低、體積小、加工技術(shù)成熟等優(yōu)點(diǎn)正在越來(lái)越大規(guī)模的使用。
其中，顏色傳感器，基于巨磁電阻(GMR)及隧道磁電阻(TMR)效應(yīng)制備的磁電阻傳感器因其飽和磁場(chǎng)較低、單位磁場(chǎng)靈敏度高、溫度特性穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，顏色傳感器應(yīng)用，目前已被廣泛用于生產(chǎn)應(yīng)用中。
特別是TMR磁傳感器，擁有小型化、低成本、低功耗、高集成性、高相應(yīng)頻率和高靈敏度特性，使其成為未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)。
另一方面，識(shí)別顏色傳感器，作為高靈敏度傳感器而言，GMR和TMR的固有噪聲仍然較大，特別是在低頻下，傳感器存在明顯的1/f 噪聲。
并且在探測(cè)精度方面相比于SQUID、光泵磁力儀等高靈敏度磁傳感器仍然有較大差距，這也限制了其在生物磁性、等一些弱磁探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用。
氣敏傳感器是指能將被側(cè)氣體濃度轉(zhuǎn)換為與其成一定關(guān)系的電量輸出的裝置。
氣敏傳感器的性能必須滿足下列條件: (1)能夠檢淵易氣體的允許濃度、有害氣體的允許濃度和其他基準(zhǔn)設(shè)定濃度.并能及時(shí)給出報(bào)薯、顯示與控制信號(hào); (2)對(duì)被側(cè)氣體以外的共存氣體或物質(zhì)不敏感; (3)長(zhǎng)期穩(wěn)定性好、重復(fù)性好； (4)動(dòng)態(tài)特性好、響應(yīng)迅速; (5)使用、維護(hù)方便，價(jià)格便宜等。
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