銦（In） Indium 1， 物理性質(zhì)： 原子量：114.818 電負(fù)性：1.78 密度：7.31 g/cm3 （20℃）（0-100℃） 熔點(diǎn)：156.5985 ℃ 沸點(diǎn)：2072 ℃ 2，規(guī)格： 化學(xué)純度： 高純銦：In-05 純度99.999%以上，銀，鋁，*，*，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硫，硅，錫，*，鋅雜質(zhì)總含量小于10ppm； 超純銦：In-06 純度99.9999%以上，*，銅，鐵，鎂，鉛，硫，硅，錫雜質(zhì)總含量小于1ppm； 超高純銦：In-07 純度99.99999%以上，銀，*，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，鋅雜質(zhì)總含量小于0.1ppm； 3，物理性狀：棒，錠，片，粒，丸。
4，用途： 主要用于制備Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，高純合金，超低溫冷卻，晶體管基極以及鍺，硅單晶的摻雜劑，銦封，ITO，核輻射安全監(jiān)控，電接觸元件，焊料等。
5，包裝：滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝或聚乙烯瓶真空封裝。
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