等離子體化學(xué)氣相沉積原理及特點原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應(yīng)粒子受高能電子轟擊，結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子，化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)膜。
沉積時，基體可加熱，亦可不加熱。
工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運，氣態(tài)物質(zhì)激發(fā)及化學(xué)反應(yīng)等。
主要工藝參數(shù)有：放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力及源氣體成分。
主要特點是可顯著降低反應(yīng)溫度，已用于多種薄膜材料的制備。
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物*相沉積和化學(xué)氣相沉積的區(qū)別化學(xué)氣相沉積過程中有化學(xué)反應(yīng)，多種材料相互反應(yīng)，生成新的的材料。
物*相沉積中沒有化學(xué)反應(yīng)，材料只是形態(tài)有改變。
物*相沉積技術(shù)工藝過程簡單，對環(huán)境改善，無污染，耗材少，氣相化學(xué)沉積設(shè)備價格，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強。
化學(xué)雜質(zhì)難以去除。
優(yōu)點可造金屬膜、非金屬膜，又可按要求制造多成分的合金膜，成膜速度快，膜的繞射性好以上內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)多晶/非晶材料膜：化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用。
比如作為緣介質(zhì)隔離層的多晶硅沉積層。
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