半導體材料提純常用設備 半導體材料所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上，高達11個“9”以上。
提純的方法分兩大類，一類是不改變材料的化學組成進行提純，稱為物理提純；另一類是把元素先變成化合物進行提純，再將提純后的化合物還原成元素，稱為化學提純。
物理提純的方法有真空蒸發(fā)、區(qū)域精制、拉晶提純等，使用多的是區(qū)域精制。
化學提純的主要方法有電解、絡合、萃取、精餾等，使用多的是精餾。
由于每一種方法都有一定的局限性，因此常使用幾種提純方法相結(jié)合的工藝流程以獲得合格的材料。
微行牌提純爐由氣體，高溫，真空而組成，對材料內(nèi)面的各種元素按照不同溫度控制，不同環(huán)境控制。
進行多方位霧化，碳化，分離，使材料達到你理想的純度。
絕大多數(shù)半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。
成批量的半導體單晶都是用熔體生長法制成的。
直拉法應用，80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產(chǎn)的，其中硅單晶的大直徑已達300毫米。
在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。
在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法，用此法拉制、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。
懸浮區(qū)熔法的熔體不與容器接觸，用此法生長高純硅單晶。
水平區(qū)熔法用以生產(chǎn)鍺單晶。
水平定向結(jié)晶法主要用于制備單晶，而垂直定向結(jié)晶法用于制備。
用各種方法生產(chǎn)的體單晶再經(jīng)過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。
（一）主要功能： 1、自動控制系統(tǒng)：設備抽真空、充氫氣、氧含量檢測、真空室氣壓監(jiān)測等控制和聯(lián)動采用PLC自動控制，減少人工操作的人為誤差，提高設備性。
2、氧含量檢測系統(tǒng)：設置有在線氧含量檢測儀，測量范圍在1--10000ppm之間，顯示并反饋數(shù)據(jù)到自動控制系統(tǒng)，使真空系統(tǒng)和檢測值聯(lián)系在一起，爐內(nèi)氧含量達到設定值時自動啟動真空系統(tǒng)，保證設備正常使用時的安? ? 全性。
3、采用雙層殼體結(jié)構，結(jié)合熱感應技術。
4、上開式爐蓋設計，可以實時觀察加熱的物料，并能迅速降溫，滿足材料驟冷驟熱的生產(chǎn)需要； 5、工作方式： 高溫下氫氣微正壓處理+真空處理循環(huán)5次，氫氣氣氛自然降溫。
6、充氣壓力：不大于0.05MPa （微正壓） 7、常用氣體:氫氣，氮氣，氧氣和氬氣及其它惰性氣體，配有氫氣檢露裝置，當氫氣泄露了自動報警。
8、具有開啟斷電，超溫報警，漏電保護等安? ?全操作功能。
9.從室溫30度到你需要的溫度可以全程控制時間溫度。
超溫保護系統(tǒng)：當溫度失控時，超過超溫保護器設定溫度時，自動停止加熱供電，從而保護你的產(chǎn)品及機器的安? ?全；長期使用一個溫度時想溫度，可以隨時聯(lián)系我方售后解決，幫你矯正溫度。
（二）產(chǎn)品技術參數(shù)： 1.產(chǎn)品型號： TF1200-60-HV-PLC（1500） 2.爐管尺寸： 進口石英管，60*2000mm。
內(nèi)徑50mm（高溫下化學穩(wěn)定性強，耐腐蝕，熱膨脹系數(shù)極小，能承受驟冷驟熱） 3.加熱區(qū)：1500MM 4.恒溫區(qū)：1200MM 5.電源電壓：AC 220V,50/60Hz 6.加熱功率：9KW 7.設備總功率：10Kw 8.控制中樞：10寸觸摸屏 9.控溫精度 ：控溫精度±1℃ 10.極限溫度：1100℃ 11.溫度均勻性：±5℃ 12.升溫速率： ≤30℃/min（快） 13.降溫速率：700℃以上≤10℃/min 14.測溫傳感器： N型熱電偶 15.電熱絲： 康泰爾A1合金絲 16.爐 膛： 中日合資 1500型氧化鋁多晶纖維一體成型，（收縮率小，導熱系數(shù)低，保溫效果好，耐用節(jié)能） 19.控溫儀表：廈門宇電 AI系列儀表，模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)功能。
（三）、可實現(xiàn)真空系統(tǒng)： 1.極限真空度：?1.33*10-4Pa 2.復合真空計：?ZDF-5227 測量范圍 1.0*105~1.0*10-5Pa 標簽： 半導體線... 白銅退火 鋁鎂合金... 線材精細... 半導體線... ? 半導體線材優(yōu)化 白銅退火 鋁鎂合金退火 線材精細化表面處理 半導體線材固溶 半導體線材除氣 ? 蘇州市半導體材料提純 ? 蘇州市半導體材料提純廠家

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