科研實驗*氧化鉿靶材HfO2氮化鉭靶材TaN電子束鍍膜蒸發(fā)料 產(chǎn)品介紹 ? ? ? ?氧化鉿（HfO2）常溫常壓下為白色固體，熔點：2758℃，沸點：5400℃，密度：9.68g/cm，難溶于水，常溫常壓下穩(wěn)定，避免與酸接觸；當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿；用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料；是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關(guān)注，由于它最可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。
產(chǎn)品參數(shù) 中文名 二氧化鉿 ? ? ? ?化學式 HfO2 ? ? 沸點 5400℃ 分子量 210.49 ? ? ? ? ? 熔點 2758℃ ? ? ?密 度 9.68g/cm3 純度 99.99% 產(chǎn)品介紹 ? ? ? 氮化鉭（TaN）為黑色六方結(jié)晶或黃綠色結(jié)，不溶于水、酸，加熱至2000℃即釋放出氮氣。
用來制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕；用作超硬質(zhì)材料添加劑，用于噴涂，增加變壓器、集成線路、二極管的電穩(wěn)定性。
產(chǎn)品參數(shù) 中文名 氮化鉭 ? ? ? ? ? 化學式 TaN ? ?? 分子量 194.95 ? ? ? ? ?熔點 3090°C 密度 13.4g/cm3 ? ? ? 純度99.99% 支持合金靶材定制，請?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會盡快為您報價??！? 服務項目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。
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